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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TPH3206LSB
TPH3206LSB
TPH3206LSB
Modèle de produit:
TPH3206LSB
Fabricant:
Transphorm
La description:
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
la quantité en dépôt:
49810 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
TPH3206LSB.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-TPH3206LSB
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Max):±18V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:PQFN (8x8)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 10A, 8V
Dissipation de puissance (max):81W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:3-PowerDFN
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 480V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):8V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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