TPH3205WSBQA
- Modèle de produit:
- TPH3205WSBQA
- Fabricant:
- Transphorm
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 35A TO247
- la quantité en dépôt:
- 89501 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.TPH3205WSBQA.pdf2.TPH3205WSBQA.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TPH3205WSBQA |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 700µA |
| Vgs (Max): | ±18V |
| La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 62 mOhm @ 22A, 8V |
| Dissipation de puissance (max): | 125W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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