TPH3208PD
- Modèle de produit:
- TPH3208PD
- Fabricant:
- Transphorm
- La description:
- MOSFET N-CH 650V 20A TO220
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 46502 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TPH3208PD.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TPH3208PD |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur: | TO-220 |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 8V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 20A (Tc) Through Hole TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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