Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
Αριθμός εξαρτήματος:
TPH3205WSBQA
Κατασκευαστής:
Transphorm
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Ποσότητα σε Απόθεμα:
89501 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.TPH3205WSBQA.pdf2.TPH3205WSBQA.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply TPH3205WSBQA, use the request quote form to request TPH3205WSBQA pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPH3205WSBQA.The price and lead time for TPH3205WSBQA depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPH3205WSBQA.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-TPH3205WSBQA
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 700µA
Vgs (Max):±18V
Τεχνολογία:GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247
Σειρά:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs:62 mOhm @ 22A, 8V
Έκλυση ενέργειας (Max):125W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:6 Weeks
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 400V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:42nC @ 8V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):650V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για TPH3205WSBQA

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
TPH3206LS Image TPH3206LS Transphorm MOSFET N-CH 600V 17A PQFN Έρευνα
TPH3206PSB Image TPH3206PSB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB Έρευνα
TPH3207WS Image TPH3207WS Transphorm MOSFET N-CH 650V 50A TO247 Έρευνα
TPH2R506PL,L1Q Image TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Έρευνα
TPH3206LDB Image TPH3206LDB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A PQFN Έρευνα
TPH2R306NH,L1Q Image TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV Έρευνα
TPH3202LS Image TPH3202LS Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A PQFN Έρευνα
TPH3202LD Image TPH3202LD Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A PQFN Έρευνα
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm MOSFET N-CH 600V 17A PQFN Έρευνα
TPH3206LDGB Image TPH3206LDGB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A PQFN Έρευνα
TPH2900ENH,L1Q Image TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 200V 33A SOP8 Έρευνα
TPH3206LSB Image TPH3206LSB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A PQFN Έρευνα
TPH3208LD Image TPH3208LD Transphorm MOSFET N-CH 650V 20A PQFN Έρευνα
TPH3206PS Image TPH3206PS Transphorm MOSFET N-CH 600V 17A TO220 Έρευνα
TPH3206PD Image TPH3206PD Transphorm MOSFET N-CH 600V 17A TO220 Έρευνα
TPH3202PS Image TPH3202PS Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Έρευνα
TPH3202PD Image TPH3202PD Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Έρευνα
TPH3205WSB Image TPH3205WSB Transphorm MOSFET N-CH 650V 36A TO247 Έρευνα
TPH2R608NH,L1Q Image TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 Έρευνα
TPH2010FNH,L1Q Image TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP Έρευνα

Latest Ειδήσεις