SI2365EDS-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI2365EDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 58134 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI2365EDS-T1-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SI2365EDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-236 |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 32 mOhm @ 4A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDST1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 36nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | P-Channel 20V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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