FDFMA3N109
FDFMA3N109
Modèle de produit:
FDFMA3N109
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
55717 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDFMA3N109.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-FDFMA3N109
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-MicroFET (2x2)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1.5W (Ta)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:6-VDFN Exposed Pad
Autres noms:FDFMA3N109CT
FDFMA3N109CT-ND
FDFMA3N109FSCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:220pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A (Tc)
Email:[email protected]

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