FDFMA2P029Z
FDFMA2P029Z
Modèle de produit:
FDFMA2P029Z
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
43545 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDFMA2P029Z.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-FDFMA2P029Z
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-MicroFET (2x2)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):1.4W (Tj)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:6-VDFN Exposed Pad
Autres noms:FDFMA2P029ZDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 3.1A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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