FDFMA3N109
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FDFMA3N109
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 55717 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FDFMA3N109.pdf
Εισαγωγή
We can supply FDFMA3N109, use the request quote form to request FDFMA3N109 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDFMA3N109.The price and lead time for FDFMA3N109 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDFMA3N109.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-FDFMA3N109 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-MicroFET (2x2) |
| Σειρά: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 1.5W (Ta) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | FDFMA3N109CT FDFMA3N109CT-ND FDFMA3N109FSCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 39 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 220pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | Schottky Diode (Isolated) |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 30V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FDFMA3N109
Latest Ειδήσεις
- Ο Onsemi ξεκίνησε την πρώτη συσκευασία διοδίων στον κόσμο 650 V silicon carbide mosfet
- Το κιτ ανάπτυξης κινητήρα ON Semiconductor επικεντρώνεται πρώτα στην ενεργειακή απόδοση
- Η πλατφόρμα άμεσης ώρας πτήσης (dToF) ON Semiconductor's silom photomultiplier (SiPM) παρέχει έτοιμα σχέδια για βιομηχανικές εφαρμογές
- Η ON Semiconductor και η Theta Power Systems International καθιερώνουν συνεργασία για εφαρμογές ελέγχου κινητήρα
- Η ON Semiconductor διορίζει τον Hassane El-Khoury ως διάδοχο CEO (CEO)