FDFS2P103A
FDFS2P103A
Modèle de produit:
FDFS2P103A
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
75203 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
FDFS2P103A.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-FDFS2P103A
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipation de puissance (max):900mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:FDFS2P103A_NL
FDFS2P103A_NLTR
FDFS2P103A_NLTR-ND
FDFS2P103ATR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:535pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:P-Channel 30V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.3A (Ta)
Email:[email protected]

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