Numéro de pièce interne | RO-EPC2102ENG |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 7mA |
Package composant fournisseur: | Die |
Séries: | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
Puissance - Max: | - |
Emballage: | Tray |
Package / Boîte: | Die |
Autres noms: | 917-EPC2102ENG EPC2102ENGRH6 |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 30V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.8nC @ 5V |
type de FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Fonction FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 23A |
Email: | [email protected] |