Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2102ENG
EPC2102ENG
EPC2102ENG
Номер на частта:
EPC2102ENG
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
61838 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
EPC2102ENG.pdf
Разследване

Въведение

We can supply EPC2102ENG, use the request quote form to request EPC2102ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2102ENG.The price and lead time for EPC2102ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2102ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-EPC2102ENG
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 7mA
Пакет на доставчик на устройства:Die
серия:eGaN®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 20A, 5V
Мощност - макс:-
Опаковка:Tray
Пакет / касета:Die
Други имена:917-EPC2102ENG
EPC2102ENGRH6
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:830pF @ 30V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:6.8nC @ 5V
Тип FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):60V
Подробно описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2102ENG

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Разследване
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE Разследване
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Разследване
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Разследване
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Разследване
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Разследване
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Разследване
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Разследване
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Разследване
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Разследване
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Разследване
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Разследване
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Разследване
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Разследване
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Разследване
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Разследване

Latest News