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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > 2731GN-200M
2731GN-200M
Modèle de produit:
2731GN-200M
Fabricant:
Microsemi
La description:
FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
50785 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
2731GN-200M.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-2731GN-200M
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Nominale:150V
Tension - Sortie:225W
Tension - Ventilation:55QP
Séries:-
État RoHS:Bulk
Polarisation:55QP
Noise Figure:60V
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2731GN-200M
La fréquence:2.7GHz ~ 3.1GHz
type de FET:12.2dB ~ 12.7dB
Description élargie:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 12.2dB ~ 12.7dB 225W 55QP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):500mA
La description:FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP
Note actuelle:5mA
Courant - Test:-
Courant - Collecteur (Ic) (max):2 N-Channel (Dual) Common Source
Email:[email protected]

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