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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > 2731-200P
2731-200P
Modèle de produit:
2731-200P
Fabricant:
Microsemi
La description:
RF POWER TRANSISTOR
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
55299 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
2731-200P.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-2731-200P
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):-
Transistor Type:-
Package composant fournisseur:Module
Séries:-
Puissance - Max:-
Package / Boîte:Module
Température de fonctionnement:-
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:8.7dB
Fréquence - Transition:2.7GHz ~ 3.1GHz
Description détaillée:RF Transistor 2.7GHz ~ 3.1GHz Chassis Mount Module
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:-
Courant - Collecteur (Ic) (max):-
Email:[email protected]

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