IXFH6N100F
- Osa numero:
- IXFH6N100F
- Valmistaja:
- IXYS RF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 72001 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- IXFH6N100F.pdf
esittely
We can supply IXFH6N100F, use the request quote form to request IXFH6N100F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFH6N100F.The price and lead time for IXFH6N100F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFH6N100F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-IXFH6N100F |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXFH) |
| Sarja: | HiPerRF™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 180W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1770pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH) |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH6N100F
Latest News
- Toshiba käynnistää SmartMCD -sarjan portinohjaimen IC sulautetulla mikrokontrollerilla
- ADI -käyttöönotto Sambanova Kit, joka edistää tuotantokaava AI: n läpimurron saavuttamiseksi yritystasolla
- Honeywell ja Adi liittyivät kätensä edistämään rakennusautomaation innovaatiota ja muutosta
- Maxim ilmoitti julkaisusta
- Maxim käynnistää auton DC-DC-muunnin max16984, auton, jossa on integroitu USB-latausluettelot
- Renesas Electronics käynnistää alan ensimmäisen ohjelmoitavan sähköohjaimen IC
- Renesas käynnisti ensimmäisen sukupolven 32-bittisen RISC-V-CPU-ytimen
- Vishay lanseerasi uuden 10 MBD: n matalan voimanvalokytkimen, niin alhainen kuin 5 Ma, jännitealue on 2,7 V -5,5 V
- Melexis käynnisti uuden älykkään ohjausratkaisun luotettavan turvallisuuden integroimiseksi
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- DDR5 -aikakausi on lähestymässä, ja uusia haasteita ei voida sivuuttaa
- Renesas avaa seuraavan sukupolven Car SOC- ja MCU -prosessorin tuoteraittikartan