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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFH6N100F
IXFH6N100F
IXFH6N100F
Modèle de produit:
IXFH6N100F
Fabricant:
IXYS RF
La description:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
72001 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFH6N100F.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXFH6N100F
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247 (IXFH)
Séries:HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.9 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max):180W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1770pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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