Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > EPC2016C
EPC2016C
EPC2016C
Osa numero:
EPC2016C
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
71327 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
EPC2016C.pdf
tiedustelu

esittely

We can supply EPC2016C, use the request quote form to request EPC2016C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2016C.The price and lead time for EPC2016C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2016C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-EPC2016C
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -4V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 11A, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-1080-2
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 100V 18A (Ta) Surface Mount Die
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat EPC2016C

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE tiedustelu
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE tiedustelu

Latest News