SI2367DS-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI2367DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 85129 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI2367DS-T1-GE3.pdf
Introducción
We can supply SI2367DS-T1-GE3, use the request quote form to request SI2367DS-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI2367DS-T1-GE3.The price and lead time for SI2367DS-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI2367DS-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SI2367DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | SI2367DS-T1-GE3-ND SI2367DS-T1-GE3TR SI2367DST1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 561pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 23nC @ 8V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI2367DS-T1-GE3
Latest Noticias
- Toshiba lanza IC del controlador de la puerta de la serie SmartMCD con microcontrolador integrado
- ADI Deployment Sambanova Kit, promoviendo la fórmula de producción AI para lograr el avance a nivel empresarial
- Honeywell y Adi se unieron para promover la innovación y el cambio de la automatización de la construcción
- Maxim anunció el lanzamiento
- Maxim lanza un convertidor DC-DC de automóvil MAX16984, un automóvil con enumetas de carga USB integradas
- Renesas Electronics lanza el primer controlador eléctrico programable de la industria IC
- Renesas lanzó la primera generación de núcleos CPU RISC-V de 32 bits
- Vishay lanzó el nuevo acoplamiento de luz de baja potencia de 10 mbd, tan bajo como 5 mA, el rango de voltaje es de 2.7 V a 5.5 V
- MelExis lanzó una nueva solución inteligente de desviación para integrar una seguridad confiable
- Toshiba ha desarrollado el primer módulo MOSFET de doble carburo de 2200V de la industria para ayudar a la miniaturización eficiente y la miniaturización de los equipos industriales
- Se acerca la efectividad de DDR5 y no se pueden ignorar los nuevos desafíos
- Renesas abre el siguiente mapa de ruta del producto del procesador de automóviles y del procesador MCU