Interne Teilenummer | RO-W9812G6JH-5 |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 3 V ~ 3.6 V |
Technologie: | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse: | 54-TSOP II |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 128Mb (8M x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 4.5ns 54-TSOP II |
Uhrfrequenz: | 200MHz |
Zugriffszeit: | 4.5ns |
Email: | [email protected] |