Número de parte interno | RO-W9812G6JH-5 |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 3 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | SDRAM |
Paquete del dispositivo: | 54-TSOP II |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 128Mb (8M x 16) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 4.5ns 54-TSOP II |
Frecuencia de reloj: | 200MHz |
Tiempo de acceso: | 4.5ns |
Email: | [email protected] |