SIHB22N60AEL-GE3
- Artikelnummer:
- SIHB22N60AEL-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CHAN 600V
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 86969 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SIHB22N60AEL-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SIHB22N60AEL-GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | D²PAK (TO-263) |
| Serie: | EL |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 208W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SIHB22N60AEL-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1757pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 600V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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