SIHB15N65E-GE3
- Artikelnummer:
- SIHB15N65E-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 15A TO263
- Menge auf Lager:
- 82737 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SIHB15N65E-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SIHB15N65E-GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-263 (D²Pak) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 280 mOhm @ 8A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 34W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1640pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 650V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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