Interne Teilenummer | RO-SIA421DJ-T1-GE3 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Prüfung: | 950pF @ 15V |
Spannung - Durchschlag: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
VGS (th) (Max) @ Id: | 35 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | TrenchFET® |
RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12A (Tc) |
Polarisation: | PowerPAK® SC-70-6 |
Andere Namen: | SIA421DJ-T1-GE3TR SIA421DJT1GE3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | SIA421DJ-T1-GE3 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 29nC @ 10V |
IGBT-Typ: | ±20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
FET-Merkmal: | P-Channel |
Expanded Beschreibung: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 30V |
Kapazitätsverhältnis: | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Email: | [email protected] |