Interne Teilenummer | RO-SI2377EDS-T1-GE3 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 61 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Verlustleistung (max): | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | SI2377EDS-T1-GE3TR SI2377EDST1GE3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 8V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |