SI2371EDS-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI2371EDS-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 37657 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI2371EDS-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SI2371EDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | SI2371EDS-T1-GE3CT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 30V 4.8A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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