SI2342DS-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI2342DS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 50963 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI2342DS-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-SI2342DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 1070pF @ 4V |
| Spannung - Durchschlag: | SOT-23 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 1.2V, 4.5V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | TrenchFET® |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6A (Tc) |
| Polarisation: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SI2342DS-T1-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 15.8nC @ 4.5V |
| IGBT-Typ: | ±5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8V |
| Kapazitätsverhältnis: | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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