S12M
- Artikelnummer:
- S12M
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 83693 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- 1.S12M.pdf2.S12M.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-S12M |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Spitzensperr- (max): | Standard |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 12A |
| Spannung - Durchschlag: | DO-4 |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Bulk |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Widerstand @ If, F: | - |
| Polarisation: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Andere Namen: | S12MGN |
| Befestigungsart: | Chassis, Stud Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | S12M |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Diodenkonfiguration: | 10µA @ 50V |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 1.1V @ 12A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 1000V (1kV) |
| Kapazität @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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