S12M
Modèle de produit:
S12M
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
83693 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.S12M.pdf2.S12M.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-S12M
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:12A
Tension - Ventilation:DO-4
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms:S12MGN
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:S12M
Description élargie:Diode Standard 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Configuration diode:10µA @ 50V
La description:DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Courant - fuite, inverse à Vr:1.1V @ 12A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1000V (1kV)
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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