NXPSC08650Q
- Artikelnummer:
- NXPSC08650Q
- Hersteller:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Beschreibung:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
- Menge auf Lager:
- 58010 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NXPSC08650Q.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-NXPSC08650Q |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.7V @ 8A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 650V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AC |
| Geschwindigkeit: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 0ns |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-2 |
| Andere Namen: | 1740-1222 934068069127 |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 175°C (Max) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Diodentyp: | Silicon Carbide Schottky |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220AC |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 230µA @ 650V |
| Strom - Richt (Io): | 8A |
| Kapazität @ Vr, F: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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