NXPSC08650Q
- Modelo do Produto:
- NXPSC08650Q
- Fabricante:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
- Quantidade em estoque:
- 58010 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NXPSC08650Q.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-NXPSC08650Q |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.7V @ 8A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 650V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AC |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-2 |
| Outros nomes: | 1740-1222 934068069127 |
| Temperatura de Operação - Junção: | 175°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrição detalhada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Through Hole TO-220AC |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 230µA @ 650V |
| Atual - rectificada média (Io): | 8A |
| Capacitância @ Vr, F: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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