NE3516S02-T1C-A
- Artikelnummer:
- NE3516S02-T1C-A
- Hersteller:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beschreibung:
- IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 32881 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- NE3516S02-T1C-A.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-NE3516S02-T1C-A |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 2V |
| Spannung - Nennwert: | 4V |
| Transistor-Typ: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Supplier Device-Gehäuse: | S02 |
| Serie: | - |
| Leistung: | 165mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD, Flat Leads |
| Rauschmaß: | 0.35dB |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gewinnen: | 14dB |
| Frequenz: | 12GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
| Aktuelle Bewertung: | 60mA |
| Strom - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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