MURTA600120R
- Artikelnummer:
- MURTA600120R
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 55817 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MURTA600120R.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-MURTA600120R |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 2.6V @ 300A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 1200V |
| Supplier Device-Gehäuse: | Three Tower |
| Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | Three Tower |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| Diodenkonfiguration: | 1 Pair Common Anode |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 300A Chassis Mount Three Tower |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 25µA @ 1200V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 300A |
| Email: | [email protected] |
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