MURTA600120R
MURTA600120R
Modelo do Produto:
MURTA600120R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55817 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MURTA600120R.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MURTA600120R
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:2.6V @ 300A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Three Tower
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Three Tower
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
configuração de diodo:1 Pair Common Anode
Descrição detalhada:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 300A Chassis Mount Three Tower
Atual - dispersão reversa @ Vr:25µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):300A
Email:[email protected]

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