Interne Teilenummer | RO-DDTB142JC-7-F |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23-3 |
Serie: | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1): | 470 Ohms |
Leistung - max: | 200mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | DDTB142JC-FDITR DDTB142JC7F |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 56 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Basisteilenummer: | DTB142 |
Email: | [email protected] |