CTLDM8120-M621H BK
- Artikelnummer:
- CTLDM8120-M621H BK
- Hersteller:
- Central Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V DFN6
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 37597 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- CTLDM8120-M621H BK.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-CTLDM8120-M621H BK |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | 8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TLM621H |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.6W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | CTLDM8120-M621H BK-ND CTLDM8120-M621HBK |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.56nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 950mA (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 950mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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