CSD19532KTT
- Artikelnummer:
- CSD19532KTT
- Hersteller:
- TI
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 59260 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- CSD19532KTT.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-CSD19532KTT |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Prüfung: | 5060pF @ 50V |
| Spannung - Durchschlag: | DDPAK/TO-263-3 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | NexFET™ |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200A (Ta) |
| Polarisation: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 2 (1 Year) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 13 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | CSD19532KTT |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 57nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100V |
| Kapazitätsverhältnis: | 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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