Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT
Номер на частта:
EPC2047ENGRT
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
64331 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
EPC2047ENGRT.pdf
Разследване

Въведение

We can supply EPC2047ENGRT, use the request quote form to request EPC2047ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2047ENGRT.The price and lead time for EPC2047ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2047ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-EPC2047ENGRT
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 7mA
Vgs (макс):+6V, -4V
технология:GaNFET (Gallium Nitride)
Пакет на доставчик на устройства:Die
серия:eGaN®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 20A, 5V
Разсейване на мощност (макс.):-
Опаковка:Original-Reel®
Пакет / касета:Die
Други имена:917-EPC2047ENGRDKR
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Производител Стандартно време за доставка:16 Weeks
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:1050pF @ 100V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:10.2nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):5V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):200V
Подробно описание:N-Channel 200V 32A (Ta) Surface Mount Die
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:32A (Ta)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2047ENGRT

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Разследване
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE Разследване
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Разследване
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Разследване
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Разследване
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Разследване
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Разследване
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE Разследване
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Разследване
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Разследване
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE Разследване
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Разследване
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Разследване
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Разследване
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE Разследване
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Разследване
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Разследване
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE Разследване

Latest News