Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT
Part Number:
EPC2047ENGRT
Výrobce:
EPC
Popis:
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
64331 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
EPC2047ENGRT.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply EPC2047ENGRT, use the request quote form to request EPC2047ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2047ENGRT.The price and lead time for EPC2047ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2047ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-EPC2047ENGRT
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 7mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technika:GaNFET (Gallium Nitride)
Dodavatel zařízení Package:Die
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 20A, 5V
Ztráta energie (Max):-
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:Die
Ostatní jména:917-EPC2047ENGRDKR
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:10.2nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):200V
Detailní popis:N-Channel 200V 32A (Ta) Surface Mount Die
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:32A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro EPC2047ENGRT

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Dotaz
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE Dotaz
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Dotaz
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Dotaz
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Dotaz
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Dotaz
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Dotaz
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Dotaz
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE Dotaz
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Dotaz
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Dotaz
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE Dotaz
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Dotaz
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Dotaz
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Dotaz
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Dotaz
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE Dotaz
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Dotaz
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Dotaz
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE Dotaz

Latest News