بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
GSXD060A018S1-D3 Image GSXD060A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227 تحقيق
GSXD060A004S1-D3 Image GSXD060A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 تحقيق
GHIS060A120S-A2 Image GHIS060A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227 تحقيق
1N1183A DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB تحقيق
GHIS080A060S1-E1 Image GHIS080A060S1-E1 IGBT 600V 160A SOT227 تحقيق
FR30A02 DIODE GEN PURP 50V 30A DO5 تحقيق
GHXS050A060S-D4 Image GHXS050A060S-D4 DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 تحقيق
GKN26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 تحقيق
1N2137A DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 تحقيق
GHIS200A120S3B1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
GP1M009A060FH Image GP1M009A060FH MOSFET N-CH 600V 9A TO220F تحقيق
S6K DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 تحقيق
GP1M008A025CG Image GP1M008A025CG MOSFET N-CH 250V 8A DPAK تحقيق
GHXS030A120S-D4 Image GHXS030A120S-D4 DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227 تحقيق
1N3765 DIODE GEN PURP 700V 35A DO5 تحقيق
1N1190R Image 1N1190R DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 تحقيق
1N3671AR Image 1N3671AR DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 تحقيق
GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES تحقيق
GP1M009A020HG Image GP1M009A020HG MOSFET N-CH 200V 9A TO220 تحقيق
FR40G05 DIODE GEN PURP 400V 40A DO5 تحقيق
FST12045 Image FST12045 DIODE MODULE 45V 120A TO249AB تحقيق
GSXF100A060S1-D3 Image GSXF100A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 100A SOT227 تحقيق
1N3882 DIODE GEN PURP 300V 6A DO4 تحقيق
GSXD120A010S1-D3 Image GSXD120A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227 تحقيق
FR12MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 تحقيق
GHXS010A060S-D4 Image GHXS010A060S-D4 DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 تحقيق
1N1189 DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 تحقيق
GSXD050A004S1-D3 Image GSXD050A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227 تحقيق
GSXD030A006S1-D3 Image GSXD030A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227 تحقيق
GP1M006A065PH Image GP1M006A065PH MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK تحقيق
S12KR DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 تحقيق
S25J DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA تحقيق
FR16GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 تحقيق
GPA025A120MN-ND Image GPA025A120MN-ND IGBT 1200V 50A 312W TO3PN تحقيق
1N3212 DIODE GEN PURP 400V 15A DO5 تحقيق
GHXS045A120S-D4 Image GHXS045A120S-D4 DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 تحقيق
GP2M023A050N Image GP2M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN تحقيق
GP1M008A080H Image GP1M008A080H MOSFET N-CH 800V 8A TO220 تحقيق
GHIS100A120S2B1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
GP1M008A050PG Image GP1M008A050PG MOSFET N-CH 500V 8A IPAK تحقيق
S40GR DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 تحقيق
GSXF100A120S1-D3 Image GSXF100A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227 تحقيق
GP1M010A080FH Image GP1M010A080FH MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F تحقيق
FR40D02 DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 تحقيق
GPA040A120L-FD Image GPA040A120L-FD IGBT 1200V 80A 480W TO264 تحقيق
GP2M005A050HG Image GP2M005A050HG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 تحقيق
MBRT200200 Image MBRT200200 DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER تحقيق
GHIS020A060B1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
S40V DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5 تحقيق
1N1184R Image 1N1184R DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية