Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > EPC2030ENGR
EPC2030ENGR
EPC2030ENGR
Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2030ENGR
Κατασκευαστής:
EPC
Περιγραφή:
TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
44723 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EPC2030ENGR.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply EPC2030ENGR, use the request quote form to request EPC2030ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2030ENGR.The price and lead time for EPC2030ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2030ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-EPC2030ENGR
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - Test:1900pF @ 20V
Τάσης - Ανάλυση:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4 mOhm @ 30A, 5V
Τεχνολογία:GaNFET (Gallium Nitride)
Σειρά:eGaN®
Κατάσταση RoHS:Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs:31A (Ta)
Πόλωση:Die
Άλλα ονόματα:917-EPC2030ENGR
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:EPC2030ENGR
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:18nC @ 5V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:2.5V @ 16mA
FET Χαρακτηριστικό:N-Channel
Διευρυμένη περιγραφή:N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):-
Περιγραφή:TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:40V
Λόγος χωρητικότητα:-
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EPC2030ENGR

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Έρευνα
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Έρευνα
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Έρευνα
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Έρευνα
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Έρευνα
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Έρευνα
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Έρευνα
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Έρευνα

Latest Ειδήσεις