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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2030ENGR
EPC2030ENGR
EPC2030ENGR
Modello di prodotti:
EPC2030ENGR
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
44723 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2030ENGR.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-EPC2030ENGR
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - Prova:1900pF @ 20V
Tensione - Ripartizione:Die
Vgs (th) (max) a Id:2.4 mOhm @ 30A, 5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Stato RoHS:Tray
Rds On (max) a Id, Vgs:31A (Ta)
Polarizzazione:Die
Altri nomi:917-EPC2030ENGR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2030ENGR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:18nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 16mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:40V
rapporto di capacità:-
Email:[email protected]

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