Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2030ENGR
EPC2030ENGR
EPC2030ENGR
Nomor bagian:
EPC2030ENGR
Pabrikan:
EPC
Deskripsi:
TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Status RoHS:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Jumlah dalam Stok:
44723 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Waktu produksi:
4-8 weeks
Lembaran data:
EPC2030ENGR.pdf
Penyelidikan

pengantar

We can supply EPC2030ENGR, use the request quote form to request EPC2030ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2030ENGR.The price and lead time for EPC2030ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2030ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spesifikasi

Nomor Bagian Internal RO-EPC2030ENGR
Kondisi Original New
Negara Asal Contact us
Penandaan Top email us
Penggantian See datasheet
Tegangan - Uji:1900pF @ 20V
Tegangan - Breakdown:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4 mOhm @ 30A, 5V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Seri:eGaN®
Status RoHS:Tray
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:31A (Ta)
Polarisasi:Die
Nama lain:917-EPC2030ENGR
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL):1 (Unlimited)
Nomor Bagian Produsen:EPC2030ENGR
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:18nC @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 16mA
Fitur FET:N-Channel
Deskripsi yang Diperluas:N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):-
Deskripsi:TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:40V
kapasitansi Ratio:-
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk EPC2030ENGR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Penyelidikan
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Penyelidikan
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Penyelidikan
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Penyelidikan

Latest Berita