Tin tức

Samsung đã công bố bản đồ tuyến bộ nhớ: Bộ nhớ 2027 DDR6 sẽ vượt quá 10Gbps trong 10Gbps

  • Tác giả:ROGER
  • Phát hành vào:2023-03-13

Vào ngày 8 tháng 10, theo cơ sở máy tính truyền thông Đức, Samsung đã giới thiệu lộ trình bộ nhớ của mình trong Diễn đàn Samsung Foundry 2022.

Như được hiển thị trong hình trên, trong năm 2023 sắp tới, Samsung sẽ bước vào giai đoạn quy trình 1BNM, công suất chip bộ nhớ sẽ đạt tới 24GB (3GB) -32GB (4GB) và tốc độ gốc sẽ là 6,4-7,2Gbps.Về bộ nhớ, thế hệ mới của bộ nhớ GDDR7 sẽ được phát hành vào năm tới, vì vậy việc sửa đổi trung bình của card đồ họa thế hệ mới của AMD và NVIDIA Graphics có thể sử dụng bộ nhớ video GDDR7.

Ngoài ra, Samsung cũng đã thực hiện một số ý tưởng dài hạn, chẳng hạn như ra mắt bộ nhớ DDR6 vào năm 2026 và tốc độ 10Gbps bản địa vào năm 2027.

Samsung cũng công bố bản đồ flash và dự kiến ​​sẽ ra mắt chip V9 NAND vào năm 2024.