เมื่อวันที่ 8 ตุลาคมตามฐานคอมพิวเตอร์สื่อเยอรมัน Samsung ได้แนะนำแผนงานหน่วยความจำใน Samsung Foundry Forum 2022

ดังที่แสดงในรูปด้านบนในปี 2023 ที่กำลังจะมาถึง Samsung จะเข้าสู่ขั้นตอนกระบวนการ 1BNM ความจุชิปหน่วยความจำจะสูงถึง 24GB (3GB) -32GB (4GB) และความเร็วดั้งเดิมจะอยู่ที่ 6.4-7.2Gbpsในแง่ของหน่วยความจำหน่วยความจำ GDDR7 รุ่นใหม่จะออกมาในปีหน้าดังนั้นการปรับเปลี่ยนระยะกลางของการ์ดกราฟิกรุ่นใหม่ของกราฟิก AMD และ NVIDIA อาจใช้หน่วยความจำวิดีโอ GDDR7

นอกจากนี้ Samsung ยังดำเนินการแนวคิดระยะยาวเช่นการเปิดตัวหน่วยความจำ DDR6 ในปี 2569 และความเร็ว 10Gbps ดั้งเดิมในปี 2027

Samsung ยังประกาศแผนที่แฟลชและคาดว่าจะเปิดตัวชิป V9 NAND ในปี 2567