Новости

Samsung анонсированная карта маршрута памяти: 2027 DDR6 Память превысит 10 Гбит / с в 10 Гбит / с.

  • автор:ROGER
  • Освободить:2023-03-13

8 октября, согласно немецкой медиа -компьютерной базе, Samsung представила свою дорожную карту памяти на Foundry Forum Samsung 2022.

Как показано на рисунке выше, на предстоящем 2023 году Samsung выйдет на стадию процесса 1BNM, емкость чипа памяти достигнет 24 ГБ (3 ГБ) -32 ГБ (4 ГБ), а нативная скорость будет составлять 6,4-7,2 Гбит / с.С точки зрения памяти, в следующем году появится новое поколение памяти GDDR7, поэтому средняя модификация графической карты нового поколения графики AMD и NVIDIA может использовать видео память GDDR7.

Кроме того, Samsung также выполнил несколько долгосрочных идей, таких как запуск памяти DDR6 в 2026 году, и скорость нативных 10 Гбит / с в 2027 году.

Samsung также объявил о своей карте Flash и, как ожидается, запустит чип V9 NAND в 2024 году.