Vào ngày 8 tháng 10, theo cơ sở máy tính truyền thông Đức, Samsung đã giới thiệu lộ trình bộ nhớ của mình trong Diễn đàn Samsung Foundry 2022.

Như được hiển thị trong hình trên, trong năm 2023 sắp tới, Samsung sẽ bước vào giai đoạn quy trình 1BNM, công suất chip bộ nhớ sẽ đạt 24GB (3GB) -32GB (4GB) và tốc độ gốc sẽ là 6,4-7.2Gbps. Về bộ nhớ, bộ nhớ video GDDR7 thế hệ mới sẽ được phát hành vào năm tới, do đó, việc sửa đổi trung bình của card đồ họa thế hệ mới của AMD và NVIDIA Graphics có thể sử dụng bộ nhớ video GDDR7.

Ngoài ra, Samsung cũng đã thực hiện một số ý tưởng dài hạn, chẳng hạn như ra mắt bộ nhớ DDR6 vào năm 2026 và tốc độ 10Gbps bản địa vào năm 2027.

Samsung cũng công bố bản đồ flash và dự kiến ​​sẽ ra mắt chip V9 NAND vào năm 2024.

Nó đã báo cáo rằng Samsung đã chỉ ra trong ngày công nghệ trước 2022 trước đó rằng V-NAND thế hệ thứ chín của nó đang được phát triển và được lên kế hoạch sản xuất hàng loạt vào năm 2024. Đến năm 2030, Samsung tưởng tượng NAND xếp hơn 1.000 lớp để hỗ trợ tốt hơn cho công nghệ dày đặc dữ liệu trong tương lai. Samsung cũng thông báo rằng công suất cao nhất thế giới 1TB TLC V-NAND sẽ được cung cấp cho khách hàng vào cuối năm nay.