ข่าว

Samsung ประกาศพิมพ์เขียวหน่วยความจำ: 2027 หน่วยความจำ DDR6 จะเกิน 10Gbps ผ่าน 10Gbps

  • ผู้เขียน:ROGER
  • เผยแพร่เมื่อ:2022-10-24

เมื่อวันที่ 8 ตุลาคมตามฐานคอมพิวเตอร์สื่อเยอรมัน Samsung ได้แนะนำแผนงานหน่วยความจำใน Samsung Foundry Forum 2022

ดังที่แสดงในรูปด้านบนในปี 2023 ที่กำลังจะมาถึง Samsung จะเข้าสู่ขั้นตอนกระบวนการ 1BNM ความจุชิปหน่วยความจำจะสูงถึง 24GB (3GB) -32GB (4GB) และความเร็วดั้งเดิมจะอยู่ที่ 6.4-7.2Gbps ในแง่ของหน่วยความจำหน่วยความจำวิดีโอ GDDR7 รุ่นใหม่จะออกมาในปีหน้าดังนั้นการปรับเปลี่ยนระยะกลางของการ์ดกราฟิกรุ่นใหม่ของกราฟิก AMD และ NVIDIA อาจใช้หน่วยความจำวิดีโอ GDDR7

นอกจากนี้ Samsung ยังดำเนินการแนวคิดระยะยาวเช่นการเปิดตัวหน่วยความจำ DDR6 ในปี 2569 และความเร็ว 10Gbps ดั้งเดิมในปี 2027

Samsung ยังประกาศแผนที่แฟลชและคาดว่าจะเปิดตัวชิป V9 NAND ในปี 2567

บ้านไอทีได้รายงานว่าซัมซุงชี้ให้เห็นในวันเทคโนโลยีก่อนหน้านี้ 2022 ว่ารุ่นที่เก้า V-Nand อยู่ระหว่างการพัฒนาและวางแผนที่จะผลิตจำนวนมากในปี 2567 ภายในปี 2573 Samsung Imagine Nand ซ้อนกันมากกว่า 1,000 เลเยอร์เพื่อรองรับเทคโนโลยีความหนาแน่นของข้อมูลในอนาคตได้ดีขึ้น Samsung ยังประกาศด้วยว่าความสามารถสูงสุด 1TB TLC V-Nand จะมอบให้กับลูกค้าในปลายปีนี้