Số phần nội bộ | RO-SI2342DS-T1-GE3 |
---|---|
Điều kiện | Original New |
Nguồn gốc đất nước | Contact us |
Đánh dấu hàng đầu | email us |
Thay thế | See datasheet |
Điện áp - Kiểm tra: | 1070pF @ 4V |
Voltage - Breakdown: | SOT-23 |
VGS (th) (Max) @ Id: | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (Tối đa): | 1.2V, 4.5V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Loạt: | TrenchFET® |
Tình trạng RoHS: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 6A (Tc) |
sự phân cực: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vài cái tên khác: | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 24 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | SI2342DS-T1-GE3 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 15.8nC @ 4.5V |
Loại IGBT: | ±5V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 250µA |
FET Feature: | N-Channel |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | - |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 8V |
Tỷ lệ điện dung: | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
Email: | [email protected] |