PDTB123YS,126
- Số Phần:
- PDTB123YS,126
- nhà chế tạo:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Sự miêu tả:
- TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 42639 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- PDTB123YS,126.pdf
Giới thiệu
We can supply PDTB123YS,126, use the request quote form to request PDTB123YS,126 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PDTB123YS,126.The price and lead time for PDTB123YS,126 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PDTB123YS,126.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-PDTB123YS,126 |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Loại bóng bán dẫn: | PNP - Pre-Biased |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-92-3 |
| Loạt: | - |
| Điện trở - Cơ sở Emitter (R2): | 10 kOhms |
| Điện trở - Cơ sở (R1): | 2.2 kOhms |
| Power - Max: | 500mW |
| Bao bì: | Tape & Box (TB) |
| Gói / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Vài cái tên khác: | 934059148126 PDTB123YS AMO PDTB123YS AMO-ND |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| miêu tả cụ thể: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 70 @ 50mA, 5V |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Số phần cơ sở: | PDTB123 |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho PDTB123YS,126
Latest Tin tức
- NXP hợp tác với Amazon Web Services (AWS) để mở rộng cơ hội kinh doanh trên các phương tiện được kết nối
- NXP Semiconductors thông báo cổ tức hàng quý
- NXP Semiconductors và Jefferies sẽ trình diễn việc giảng dạy hệ thống điện RF 5G
- NXP mở rộng vị trí dẫn đầu trong cơ sở hạ tầng 5G với các mô-đun đa chip RF thế hệ thứ hai giúp tăng tần số, công suất và hiệu quả
- NXP đã công bố một bộ giải pháp cảm biến radar hoàn chỉnh có thể bao quanh chiếc xe trong một cái kén an toàn 360 độ