內部型號 | RO-TK6Q65W,S1Q |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 180µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | I-PAK |
系列: | DTMOSIV |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V |
功率耗散(最大): | 60W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
其他名稱: | TK6Q65W,S1Q(S TK6Q65WS1Q |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 390pF @ 300V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 11nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
詳細說明: | N-Channel 650V 5.8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 5.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |