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新聞動態

TOSHIBA推出用于IGBT和MOSFET栅极驱动，高温工作，背面或高度受限位置的轻薄型光耦：TLP5751H，TLP5752H，TLP5754H

  • 作者:TOSHIBA
  • 發佈時間：:2021-01-18

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了TLP5751H，TLP5752H和TLP5754H，它们是使用SO6L封装的光耦产品，可以隔离中小容量的IGBT和MOSFET的驱动栅极。
新产品的工作温度（最大值）从现有产品[1]的110°C提高到125°。其主要特性指定了其工作温度额定值为Ta＝-40至＋125°C，使其更容易设计和保持温度裕度。
该封装轻薄小巧，最大高度为2.3毫米，有助于提高系统板上部件布置的灵活性。此外，该封装可以安装于以往产品[2]采用的SDIP6封装[3]的型式上。因此，产品可以安装在板的背面或高度受限的地方，取代以往产品。

注：
[1] 现有产品：TLP5751，TLP5752，TLP5754
[2] 以往产品：TLP700H，TLP701H
[3] 封装告诉：4.15mm（最大值）

特性

  • 峰值输出电流额定值（@Ta＝-40至+125 °C）：
      IOP＝±1.0A（TLP5751H）
      IOP＝±2.5A（TLP5752H）
      IOP＝±4.0A（TLP5754H）
  • 高工作温度额定值：Topr （最大值）＝125 °C
  • 轨到轨输出

应用

IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动电路

  • 工业设备（工业逆变器和光伏逆变器功率调节器等）
  • 家电设备（空调变频器等）

产品规格

（除非另有规定，@Ta＝-40至＋125°C）

器件型号
封装 SO6L
轨到轨输出 内置
绝对最大额定值 峰值输出电流IOPH，IOPL（A） ±1.0 ±2.5 ±4.0
电气特性 电源电压VCC最小值／最大值（V） 15／30
电源电流ICCH，ICCL最大值（mA） 3.0
阈值输入电流（L/H）
IFLH最大值（mA）		 4

开关特性		 传播延迟时间
tpLH，tpHL最大值（ns）		 150
传播延迟时间
tpsk最小值／最大值（ns）		 -80／+80
共模瞬变抑制
CMH，CML最小值（kV/μs）
＠Ta＝25°C		 ±35

引脚分布

The illustration of pin assignment of launch of photocouplers for IGBTs and MOSFETs gate drive that are thin, support high temperature operations, and can be mounted on the back side of a board or where height is limited : TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H.

应用电路示例

The illustration of application circuit example of launch of photocouplers for IGBTs and MOSFETs gate drive that are thin, support high temperature operations, and can be mounted on the back side of a board or where height is limited : TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H.

本文所示应用电路仅供参考。需要进行彻底的评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不表示授予任何工业产权许可。

本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。